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Technische Daten
| Allgemein | |
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 1.92 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS |
| NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) |
| Formfaktor | M.2 22110 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Merkmale | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 110 mm |
| Höhe | 3.8 mm |
| Gewicht | 20 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz | 5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 800000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 85000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 22110 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 8 watt (Lesen) 8.2 watt (Schreiben) 2.5 watt (Leerlauf) |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung | RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, halogenfrei |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz |



