STMICROELECTRONICS STD80N6F6 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252

STMICROELECTRONICS STD80N6F6 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252 STMicroelectronics STD80N6F6 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252 STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STD_ Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252 · I(d): 80 A · Leistung (max) P(TOT): 120 W · ...